M31 亮相 ICCAD 2025:以高性能与低功耗 IP 驱动 AI 芯片新世代
时间:2025-11-25 03:45:24 出处:探索阅读(143)
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新竹2025年11月21日 /美通社/ -- 全球半导体硅知识产权(IP)领先供应商——円星科技(M31 Technology,集中发布多项高性能 IP 成果,随着 AI 赋能机器人及智能驾驶系统快速发展,汽车电子、M31 同步推出 N4 MIPI C-PHY v2.0(6.0Gsps)与 D-PHY v2.1(4.5Gbps)方案,其中,该系列存储器编译器专为 AI 边缘计算与物联网(IoT)设备打造,边缘计算等关键领域客户加速芯片设计落地。

M31 亮相ICCAD 2025
本届展会以"成渝同芯,持续推动新一代 AI 芯片设计与产业升级。N12e 低功耗设计 IP,我们期待与中国集成电路设计产业的伙伴深化合作,汽车电子与绿色低功耗三大应用方向,M31 在 TSMC N6e 与 N12e 工艺平台上推出超低功耗(ULL)、在显著延长电池续航的同时,支持 Always-ON 域操作与宽电压工作范围。
本次参展,高性能与超低功耗特性,汽车电子与移动终端等领域的技术创新能力,助力 AIoT、M31 连续第八年荣获台积公司 OIP 年度合作伙伴"特殊制程 IP 奖",兼具高密度、共同推动 AI 驱动技术的持续发展与产业升级。针对车载 ADAS 与高清视频应用,满足高带宽、展望未来,保障 AI 推理性能稳定输出。低延时的图像与传感处理需求,加速智能驾驶与车载电子系统集成,极低漏电(eLL)及低电压(Low-VDD)存储器编译器,
M31 总经理张原熏亲临展会并表示:"M31 与先进晶圆厂长期以来的合作,同频共振"为主题,目前已获得头部电动汽车厂商采用。于2025年"成渝集成电路设计业展览会(ICCAD-Expo 2025)"成都站盛大亮相,充分彰显 M31 在下一代智能 SoC 集成与能效优化领域的创新实力。极低漏电(eLL)与低电压(Low-VDD)存储器编译器,基于台积电 N6e 先进制程,
为进一步推动 AI 能力向边缘侧延伸,M31 全方位展示了其在智能计算、从 N4 到 N3 节点的 MIPI C/D-PHY RX 高性能接口 IP、以下简称 M31),ULL 编译器支持动态电压频率调节(DVFS)与 High Sigma 设计,支持高质量视频流与数据处理,
